姓名：黃安平
職稱：教授
辦公電話：010-82338779
Email：aphuang@buaa.edu.cn
辦公地點：主436
研究方向：類腦智能器件與物理
個人簡介：黃安平：博士，教授，博士生導師，beat365英国官网网站beat365英国官网网站副院長，美國Stanford大學訪問學者，2008年度教育部新世紀優秀人才。分别在香港中文大學，香港城市大學，美國斯坦福大學從事研究工作。2007年3月到beat365英国官网网站beat365英国官网网站工作，現主要從事類腦智能器件及固态電子等方面的研究。到目前為止，已發表SCI檢索學術論文60餘篇，分别在Applied Physics Letters、Optical letters、IEEE Electron device letters、Journal of Applied physics等學術期刊上。作為項目負責人，主持承擔腦科學研究專項、多項國家自然科學基金項目、教育部新世紀人才計劃等科研項目。
教育背景： 蘭州大學物理系電子材料與元器件專業本科；北京工業大學材料學院材料物理與化學專業博士；香港城市大學應用物理系博士後。
工作經曆：香港中文大學電子工程系、美國斯坦福大學訪問學者；2007年至今在beat365英国官网网站beat365英国官网网站工作。
獎勵與榮譽:榮獲北京市優秀教師，教育部新世紀優秀人才，第十屆“我愛我師”十佳教師，優秀班主任一等獎，校優秀研究生指導教師等
承擔項目：主持承擔北京市科委類腦智能研究重點課題，4項國家自然科學基金項目等。
代表性學術成果:
已發表SCI論文60餘篇，英文著作3部（章），美國專利1項，國家發明專利7項，教學研究論文2篇等。
【1】 X. Zhang,A. P. Huang,Q. Hu, Z. Xiao, P.K. Chu, Neuromorphic Computing with Memristor Crossbar, Phys.Status Solidi A-Appl. Mat. 215 (2018) 1700875.
【2】 Y. Xin,A. P. Huang,Q. Hu, H. Shi, M. Wang, Z. Xiao, X. Zheng, Z. Di, P.K. Chu, Barrier Reductionof Lithium Ion Tunneling through Graphene with Hybrid Defects: First‐PrinciplesCalculations, Adv. Theor. Simul. 1 (2018) 201870004.
【3】 A. P. Huang, X. Zhang, Y. Li, M. Wang, Z. Xiao, Fermi-levelpinning in full metal/high-k/SiO2/Si stacks, J. Appl. Phys. 122 (2017) 195702.
【4】 X. H. Zheng, M. Zhang,A. P. Huang, Z. S. Xiao,P. K. Chu, X. Wang, Z. F. Di,Pattern transitionfrom nanohoneycomb to nanograss on germanium by gallium ion bombardment,Chin. Phys. B24(2015) 460.
【5】 X. D. Yang,M. Chu,A. P. Huang,andS. Thompson, Effects of mechanical-bending and process induced stresseson metal effective work function,Solid State Electron.79 (2013) 142;
【6】 A. P. Huang*, X. H. Zheng, Z. S. Xiao, M. Wang, and Paul K. Chu,Interface Dipole Engineering in Metal Gate /High-kStacks,Chin. Sci. Bull. 57(2012) 2872.
【7】 X. H. Zheng,A. P. Huang*, Z. S. Xiao,X. Y. Liu, M. Wang, Z. W. Wu, and Paul K. Chu, Diffusion Behavior of DualCapping Layers in TiN/LaN/AlN/HfSiOx/Si Stack,Appl. Phys. Lett.99(2011) 131914.
【8】 A. P. Huang*, X. H. Zheng, Z. S. Xiao, Z. C. Yang, M. Wang, and Paul K. Chu,Flat Band Voltage Shift in P-Channel Metal Oxide Semiconductor Field EffectTransistors,Chin. Phys. B20(2011) 097303.
【9】 Z. C. Yang,A. P. Huang*, X. H. Zheng,Z. S. Xiao, X. Y. Liu, X. W. Zhang, Paul K. Chu and W. W. Wang, Fermi-level pinningat metal/high-k interface influenced by electron state density of metal gate,IEEEElectron. Dev. Lett.31 (2010) 1101.
【10】 X. H. Zheng,A. P. Huang*, Z. S.Xiao, Z. C. Yang, M. Wang, X. W. Zhang, W. W. Wang and Paul K. Chu, Origin of flat-bandvoltage sharp roll-off in metal gate/high-k/ultrathin SiO2/Si pMOS stacks,Appl. Phys. Lett.97 (2010) 132908.
【11】 A. P. Huang*, Z. C. Yang and Paul K. Chu, Hafnium-based high-k gate dielectrics:Advances in Solid State Circuit Tech nologies,Book ChapterISBN:978-953-307-086-5 (2010) p333-p350.
【12】 Z. C. Yang,A. P. Huang*, L. Yan,Z. S. Xiao, X. W. Zhang, Paul K. Chu and W. W. Wang, Role of interface dipolein metal gate/high-keffective work function modulation by aluminumincorporation,Appl. Phys. Lett.94 (2009) 252905.
【13】 A. P. Huang*, X. Y. Liu and P. K. Chu, Surface modification of Si-basedmaterials by plasma gas treatments,Book ChapterISBN:978-81-308-0285-5 (2009) p335-p387.
【14】 A. P. Huang*, Z. S. Xiao, X. Y. Liu, L. Wang and P. K. Chu, Role of fluorine inplasma nitridated ZrO2thin films under irradiation,Appl.Phys. Lett.93 (2008) 122907.
【15】 A. P. Huangand P. K. Chu, Interfacial compound suppression and dielectric propertiesenhancement of F-N-codoped ZrO2thin films,Appl. Phys. Lett.90 (2007) 082906.
【16】 A. P. Huang, L. Wang, J. B. Xu and P. K. Chu, Plasma nitridated high-kpolycrystallinearray induced by electron irradiation,Nanotech.17(2006)4379.
【17】 A. P. Huang, P. K. Chu and X. L. Wu, Enhanced electron field emission fromoriented columnar AlN and mechanism,Appl. Phys. Lett.88 (2006) 251103.
【18】 A. P. Huang, P. K. Chu，L. Wang, W. Y. Cheung, J. B. Xu and S. P. Wong, Fabrication of rutileTiO2thin films by low-temperature, bias-assisted cathodic arc depositionand their dielectric properties,J. Mater. Res.21(2006) 844.
【19】 A. P. Huang, and Paul K. Chu, Improvement of Interfacial and DielectricProperties of Sputtered Ta2O5Thin Films by SubstrateBias Assistance and the Underlying Mechanism,J. Appl. Phys.97 (2005)114106.
【20】 黃安平，胡琪,一種具有量子電導效應的離子型憶阻器,2017.公開号：CN106992249A（中國專利）.
【21】 黃安平，張新江.Floating Memristor. 2017. Patent No. 10083974. (美國專利已授權).
