Nuclear and Particle Physics Colloquium 141

(核與粒子物理學術報告會141)

Place: Shahe Campus C826

Time:2025年4月23日14:00

Title:高通量、單能加速器中子源技術及中子物理基礎研究

Speaker: 韋峥，蘭州大學核科學與技術學院教授

 Abstract:

中子物理與中子應用技術是核能與核技術應用的基礎，在服務國家重大戰略需求和國民經濟方面具有重要的意義。中子源作為産生中子的裝置，對中子物理基礎研究和中子應用技術發展均至關重要。蘭州大學成功研制了基于倍壓型高壓加速器的強流D-D/D-T中子發生器，分别産生2.5 MeV、14 MeV單能中子，且D-T中子産額穩定運行在3×10^12 n/s水平，核心指标在國内在運同類型裝置中處于領先地位；成功研制了緊湊型D-D/D-T中子發生器，兩個型号（CNG08和CNG09）的緊湊型中子發生器外形長度998 mm、直徑234-280mm， D-D中子産額分别達到了6.8×10^8 n/s和1.2×10^9 n/s，D-T中子産額分别達到了2.7×10^10 n/s和1.6×10^11 n/s，實現了真正意義上的小型化，指标與國際上最先進的美國Adelphi公司産品（長度1000 mm、D-T中子産額1×1011 n/s）相當，技術水平國内領先，并進入了國際先進行列。依托高通量、單能加速器中子源重點開展中子誘發锕系重核裂變物理基礎研究、透射成像技術研發、中子無損檢測技術研發等工作，服務核能、航天航空、礦産工業等領域的發展。

About the Author:

韋峥，男，蘭州大學核科學與技術學院教授，博士生導師，中子應用技術教育部工程研究中心副主任。2016年在蘭州大學獲得粒子物理與原子核物理博士學位，留校工作至今。主持國家自然科學基金重點項目、甘肅省、企事業單位科研項目10餘項；第一/通訊作者發表SCI論文40餘篇；獲批專利及軟件著作權18件，其中，3件專利完成科技成果轉化；榮獲甘肅省“飛天學者（特聘教授）”榮譽稱号。主要從事D-D/D-T中子發生器技術研究、中子物理基礎研究及中子應用技術研發等工作。