應beat365英国官网网站邀請，日本東北大學大野英男教授5月19日為學院師生作了題為“Spintronics: Nanoscience and Nanoelectronics”的精彩學術報告。重點介紹他們在半導體自旋相關現象物理，磁阻率>600%的MgO基TMR器件及其集成等方面所取得的領先成果，對我院所取得的研究結果給予高度評價。

大野教授畢業于日本東京大學，留學美國康奈爾大學。現任日本東北大學電氣通訊研究所，自旋電子集成系統中心主任，納電子與自旋電子實驗室教授。為英國物理學會(IOP) Fellow，日本應用物理學會(JSAP) Fellow，中科院半導體所名譽教授。發表論文350餘篇，包括《Nature》和《Science》系列14篇，《Phy. Rev. Lett.》16篇，被SCI它引超過2萬次，其中超過2千次4篇，5百次以上6篇，在國際學術會議大會邀請報告60餘次。

大野教授從事半導體中自旋相關現象的物理和應用，金屬基納米結構等方面的研究。涵蓋了從基礎物理，材料科學到自旋電子器件與CMOS VLSIs等領域。由于他在鐵磁半導體GaMnAs研究方面開創性的工作，被國際學術界譽為“鐵磁半導體之父”。獲得IBM日本科學獎(1998)，國際純粹與應用物理聯合會磁學獎(IUPAP 2003)，日本國家學士院獎(2005)，安捷倫歐洲物理獎(2005)，東北大學Presidential Prize for Research Excellence(2005)等。東北大學傑出教授(Distinguished Professor，2008)。IEEE磁學學會Distinguished Lecturer(2009)。