應 王榮明 教授的邀請，北京大學 候仰龍 教授課題組和新加坡國立大學 王學森 教授将于周六上午（10月10日）與 王榮明 教授課題組聯合舉行學術研讨會。歡迎各位老師和同學積極參加。

會議主題：納米物理與化學

【侯仰龍教授簡介】

侯仰龍，北京大學先進材料與納米技術系特聘研究員, 博士生導師。哈爾濱工業大學博士，北京大學化學與分子工程學院博士後，美國布朗大學研究助理。迄今在Angew. Chem. Int. Et., J. Am. Chem. Soc., Adv. Mater., Chem. Commun.等國内外重要學術期刊發表40餘篇學術論文，迄今他引600餘次。在國内外會議作報告近30篇次。擔任Angew. Chem., Chem. Commun.等近20種國内外學術期刊的審稿人。研究興趣包括：(1) 多組分的結構及維數可控的納米材料的合成、自組裝、多元功能化、及其電磁學、光學與催化性質研究。(2) 交換彈性耦合磁體的設計與合成。(3) 納米磁性材料在信息存儲技術領域的應用。(4) 生物相容的磁性納米粒子在生物探針、醫學成像和藥物傳輸等領域的應用。

【王學森教授簡介】

王學森，新加坡國立大學物理系副教授。美國馬裡蘭大學物理學博士，加州大學聖巴巴拉分校和明尼蘇達大學博士後。在Phys. Rev. Lett, Phys. Rev. B, Appl. Phys. Lett等重要學術期刊上發表一系列學術論文。主要研究領域包括：表面科學、薄膜、納米科學。主要研究手段為掃描隧道顯微鏡（STM）。具體成果包括：

1）用STM測定矽（111）表面上原子台階的相互作用及對表面穩定性的影響，并利用吸附改變表面上原子台階的尺寸與分布。

2）确定了Ge/GaAs（001）界面形成時的原子結構演化及Ge在GaAs（001）上的SK生長模式。

3）用STM測定離子轟擊GaAs（110）表面産生的缺陷構造，表面粗糙過程， 以及這些缺陷對Ge在GaAs（110）上沉積生長的影響。

4）用STM/AFM測定矽（111）上原子台階在表面氧化時的結構演化，以及矽表面氧化物納米結構在熱處理時演化。

5）在矽（111）表面成功制備出晶态外延氮化矽薄膜，并分析了表面及界面的原子結構。分析在石墨、硫化钼及氮化矽薄膜上生長的Si、Ge、Al、Sb、Bi、Mn、MnSb等團簇、納米晶粒及納米線(鍊)的形貌與表面原子結構随顆粒尺寸的變化。