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綜合新聞
《Physical Review Letters》刊發beat365英国官网网站微納物理與應用研究室研究成果
發布時間:2020-08-01   作者: 訪問量:

我校beat365英国官网网站“微納物理與應用研究室”勝獻雷助理教授、陳子瑜教授、博士生陳聰與新加坡科技設計大學楊聲遠教授、普林斯頓大學宋志達博士、西南科技大學趙建洲教授和北京理工大學餘智明教授合作,在磁性二階拓撲絕緣體理論研究中取得新進展。相關工作于2020年7月30日以“Universal Approach to Magnetic Second-Order Topological Insulator”為題在線發表于《Physical Review Letters》。博士生陳聰【導師:陳子瑜教授】和普林斯頓大學宋志達博士為論文共同第一作者,勝獻雷老師為唯一通訊作者,北航為第一作者和通訊作者單位。

二階拓撲絕緣體(SOTI)是拓撲材料領域新的研究熱點,與傳統的拓撲絕緣體(一階TI)不同,一階TI會在其(d-1)維的邊界上出現拓撲保護的無能隙邊界态,而SOTI的無能隙邊界态則出現在(d-2)維的邊界上。近幾年關于SOTI的理論研究很多,但是SOTI态的實現材料卻非常稀少,尤其是二維SOTI。因此尋找二階拓撲絕緣體材料是一個重要的科學問題。

在2019年,該研究團隊與合作者預言了graphdiyne(中文名:石墨炔)是二維二階拓撲絕緣體,首次為該物态預言實現材料,以“Two-Dimensional Second-Order Topological Insulator in Graphdiyne”為題發表在Phys. Rev. Lett. 123, 256402 (2019)。之後,他們又提出一種普适理論,從而預言了一大類二維二階拓撲絕緣體材料。以Bi/EuO(111)為例,即在磁性襯底EuO的(111)面生長二維六角蜂窩格子的Bi烯,通過近鄰效應在二維(一階)拓撲絕緣體中引入磁場,從而實現了Bi烯從一階TI到二階TI的拓撲相變。由于這種方法并不依賴于具體的一階拓撲絕緣體的細節,從而可以在一大類材料中實現(例如,三維的Bi2Se3系列材料,二維的矽烯系列材料等),将極大地促進高階拓撲材料的研究。

該工作得到了國家自然科學基金【重點、面上、青年】,北航青年拔尖人才計劃和國家留學基金委等項目的支持。

近年來,北航微納物理與應用研究室在陳子瑜教授的指導下,在關聯磁性和拓撲物态等方面不斷取得創新成果。他的悉心指導,不僅培養了學生,也促進了青年教師的成長,研究室博士生和青年教師近3年以第一作者/通訊作者發表Nature Commun. 2篇,Phys. Rev. X 2篇, Phys. Rev. Lett. 3篇。



參考文獻:

[1]Cong Chen#, Z. Song#, J.-Z. Zhao,Ziyu Chen, Z-M. Yu,Xian-Lei Sheng* and S. A. Yang, Phys. Rev. Lett. 125, 056402 (2020).https://journals.aps.org/prl/abstract/10.1103/PhysRevLett.125.056402

[2]Xian-Lei Sheng#*,Cong Chen#, H. Liu,Ziyu Chen, Z.-M. Yu*, Y.X. Zhao*, and S. A. Yang,Two-Dimensional Second-Order Topological Insulator in Graphdiyne, Phys. Rev. Lett. 123, 256402 (2019).https://journals.aps.org/prl/abstract/10.1103/PhysRevLett.123.256402